Что такое флеш-память

Флеш-память является разновидностью полупроходной технологии и электрической перепрограммируемой памяти. Такое же понятие может быть использовано в электронной схемотехнике, для того чтобы обозначить технологически законченные решения. В быту же данное понятие закрепилось за широким классом твердотельных устройств для хранения информации.

Вам понадобится

• Флешка, компьютер с подключенным интернетом.

Инструкция

1. Принцип действия такой технологии основывается на изменениях и регистрациях в изолированных областях электрического заряда в полупроводниковой структуре. Изменение такого заряда, то есть его запись и стирание, происходит с помощью приложения, находящегося между истоком и затвором его большего потенциала. Таким образом, создается достаточная напряженность электрического поля между транзистором и карманом в тонком поле диэлектрика. Так возникает туннельный эффект.
2. Ресурсы памяти основываются на изменении заряда. Оно бывает сопряжено с накопительным эффектом необратимых явлений в его структуре. Поэтому для флеш-ячейки ограничено количество записей. Эта цифра для MLC обычно составляет 10 тысяч единиц, а для SLC – до 100 тысяч единиц.
3. Срок хранения данных обуславливается продолжительностью хранения зарядов, который обычно заявляется большинством производителей бытовых изделий. Он не превышает десяти-двадцати лет. Хотя производители дают гарантию только на первые пять лет. При этом необходимо отметить, что MLC-устройства имеют меньшие сроки хранения данных, чем SLC.
4. Иерархическая структура флеш-памяти объясняется следующим фактом. Такие процессы, как запись и стирание, а также чтение информации с флеш-накопителя, происходят крупными блоками, имеющими разный размер. Например, блок стирания имеет больший размер, чем блок записи, а он, в свою очередь, меньше, чем блок чтения. Это отличительная черта флеш-памяти от классической. Вследствие чего все ее микросхемы имеют выраженную иерархическую структуру. Память, таким образом, разбивается на блоки, а те - на секторы и страницы.
5. Скорость стирания, чтения и записи разная. Например, скорость стирания может варьироваться от единицы до сотни миллисекунд. Это зависит от размера стираемой информации. Скорость записи составляет десятки или сотни микросекунд. Скорость чтения обычно составляет десятки наносекунд.
6. Особенности применения флеш-памяти диктуются ее особенностями. Допускается производить и продавать микросхемы с каким-либо количеством бракованных ячеек памяти. Чтобы сделать этот процент меньше, каждая страница снабжается небольшими дополнительными блоками.
7. Слабое место флеш-памяти заключается в том, количество циклов перезаписи на одной странице ограничено. Ситуация становится еще хуже по причине того, что файловые системы зачастую записывают на одно и то же место памяти.