Фазовая память представляет собой интегральную схему, которая основывается на фазовом переходе при помощи нанотрубок. Специалисты называют ее по-разному: PRAM, Ovonic Unified Memory , PCM, PCRAM, C-RAM и Chalcogenide RAM.

Основной версией ее работы является исключительное преображение халькогенида , который умеет переходить из аморфного состояния в кристаллическое и наоборот. Происходит это за счет влияния на молекулы вещества больших температур электротока.

Эта память считается энергонезависимой. Потому что обладает способностью сохранять информацию даже при выключенном электропитании. А скорость ее работы может сравниться разве что с оперативной памятью DRAM и даже ее опережает.

Кроме независимости от энергии и высокого быстродействия память-РСМ обладает большим количеством возможностей перезаписи, огромным масштабом ячейки для хранения информации, отличной стойкостью и надежностью к воздействию внешних факторов.

Все вышеперечисленные свойства памяти с фазовым переключением позволяют существенно облегчить устройство схем в микроэлектронных приборах, а заодно усовершенствовать их качество и умножить функциональные свойства.

В данное время фазовую память разрабатывают и постоянно реконструируют такие известные фирмы, как Samsung, Intel, Numonyx, IBM. Ее можно использовать в таких областях, как медицинская электроника, автомобильная промышленность, аэрокосмическая техника, атомная промышленность и др. Кроме того, в смартфонах, планшетах и в ПК эта технология становится просто незаменимой.

Фирма micron пояснила, что фазовая память дает способность электронному устройству загружаться в сжатые сроки, при малых энергозатратах имеет высочайшую производительность и надежность. Это новое достижение, которое ученые назвали «память будущего» сможет конкурировать с флеш-памятью.