Вам понадобится
  • - калькулятор;
  • - справочник по транзисторам биполярным низкочастотным средней и большой мощности;
  • - исходные данные для расчета;
  • - методические рекомендации с формулами для расчета транзистора.
Инструкция
1
Рассчитайте динамические потери транзистора. Этот показатель включает в себя величину потерь при включении, а также выключении транзистора. Динамические потери возникают из-за того, что между эмиттером Скб и коллектор есть небольшая емкость, которая препятствует моментальному переходу транзистора из одного состояние в другое и удерживает его в линейном положении.
2
Рассчитайте мощность, потребляемую от источника энергии, по формуле: Рвх = Рвых/η, в которой Рвых – показатель мощности, передаваемой в нагрузку, а η – КПД стабилизатора. Выполняя расчеты, обратите внимание на тот факт, что хорошие преобразователи имеют КПД 95-97%.
3
Воспользовавшись справочником по биполярным транзисторам, определите максимальное выходное напряжение. Помните, что в обратноходовых преобразователях показатель напряжения на коллекторе будет выше показателя напряжения питания. Ввиду этого для определения максимального напряжения на коллекторе умножьте показатель максимального напряжения амплитудного сетевого питания на два.
4
Рассчитайте статические потери. Они будут равны интегралу произведения эффективной силы тока и напряжению падения на транзисторе.
5
Определите показатель сопротивления резистора по формуле: Pст = Iкэ(эфф)*Uкэнас, учитывающей напряжение управления, коэффициент усиления, а также величину эффективного тока.
6
Рассчитайте динамические потери, учитывая тот факт, что скорость закрывания и открывания транзистора ограничена емкостью коллектора. Напряжение на коллекторе порождает в базе ток: его направленность противоположна току управления, ввиду этого он препятствует возможности мгновенного переключения транзистора из одного состояния в другое.
7
Найдите время выключения транзистора по формуле: t(выкл) = U*C/I. Другими словами, эта формула позволяет определить скорость закрывания транзистора при условии, что ток через емкость коллектора поддерживает транзистор в проводящем состоянии.
8
Определите предельно допустимую температуру нагревания корпуса транзистора. Расчет производите по формуле: Ткр = Тср+Рсумм*(Rt(кр-к)+Rt(к-рад)+Rt(рад-ср)), где Тср – показатель температуры окружающей среды, Рсумм – суммарная мощность транзистора, Rt(рад-ср) - тепловое сопротивление радиатор-воздух, Rt(кр-к) – тепловое сопротивление кристалл-корпус транзистора и Rt(к-рад) - тепловое сопротивление корпус-радиатор.